PTN102G25M36B28 聚合物ESD抑制器

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型号：PTN102G25M36B28

Package：DFN1006-2L

VRWM MAX(V)：3.3

VBR MIN(V)：3.8

CJ TYP(pF) L-L@ VR=0V：12

Peak Power (W)（8/20μs）：80

IPP(A) @8/20μs：10

IR MAX(μA) @VRWM：0.2

特征：
双向配置
固态硅雪崩技术
低钳位电压
低漏电流

应用：
基于微处理器的设备
个人数字助理（PDA)
笔记本、台式机和服务器
便携式仪器
寻呼机外围设备