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东莞市长淞电子科技有限公司

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ESD抑制器 PTN062G12M3B7

型号:PTN062G12M3B7

PROSEMI> 聚合物ESD抑制器> PTN062G12M3B7

 

型号:PTN062G12M3B7

Package:DFN0603-2L

VRWM MAX(V):3.3

VBR MIN(V):3.4

CJ TYP(pF) L-L@ VR=0V:12

Peak Power (W)(8/20μs):70

IPP(A) @8/20μs:9

IR MAX(μA) @VRWM:0.2

 

特征:
双向配置
固态硅雪崩技术
低钳位电压
低漏电流

 

应用:
基于微处理器的设备
个人数字助理(PDA)
笔记本、台式机和服务器
便携式仪器
寻呼机外围设备

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